IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性，由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块，开关频率增加，从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行，开关损耗相对较低，从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少，效率提高，从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。
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